微弧氧化是慢慢從普通陽極氧化發(fā)展而來的，它突破了傳統(tǒng)陽極氧化對電流和電壓的限制，從幾十伏的電壓提升到了幾百伏，達(dá)到臨界值時(shí)突破閥金屬表面形成的氧化膜(絕緣膜)，產(chǎn)生微弧放電，形成放電通道，在放電通道中瞬間形成高溫高壓，伴隨著復(fù)雜的物理化學(xué)過程。在微弧氧化過程中，化學(xué)氧化、電化學(xué)氧化、等離子體氧化同時(shí)存在，陶瓷層的形成過程非常復(fù)雜，沒有合理的模型能充分描述陶瓷層的形成。

　　微弧氧化工藝是指將工作區(qū)域從普通陽極氧化的法拉第區(qū)域引入高壓放電區(qū)域，克服硬陽極氧化的缺陷，大大提高膜的綜合性能。微弧氧化膜與基體結(jié)合牢固，耐磨、耐腐蝕、耐高溫沖擊、電絕緣性好。該技術(shù)操作簡單，易于實(shí)現(xiàn)膜功能調(diào)節(jié)，工藝不復(fù)雜，不造成環(huán)境污染，是一種新型的綠色環(huán)保材料表面處理技術(shù)，在許多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

　　在微弧氧化過程中，將工件放入電解槽中，工件表面現(xiàn)象和膜層生長過程具有明顯的階段性。微弧氧化過程可分為四個(gè)階段。在微弧氧化的早期階段，金屬光澤逐漸消失，材料表面產(chǎn)生氣泡，在工件表面產(chǎn)生一層薄而多孔的絕緣氧化膜，絕緣膜的存在是形成微弧氧化的必要條件。此時(shí)，電壓和電流遵循法拉第定律，這是第yi階段-陽極氧化階段；隨著電壓和膜層的增加，鈦合金表面的火花逐漸增大，移動(dòng)速度相對減慢，膜層迅速生長，這是第三階段-微弧放電階段；隨著氧化時(shí)間的延長，氧化膜達(dá)到一定厚度，膜層越來越難穿透，開始出現(xiàn)少數(shù)較大的紅斑點(diǎn)，這些斑點(diǎn)不再大，應(yīng)盡量停止在一定的固定位置。從火花放電階段開始，電解質(zhì)中的元素開始進(jìn)入人體膜層，并與基體元素反應(yīng)產(chǎn)生新的化合物，從而提高膜層的性能。在微弧放電階段，氧化膜的突破總是發(fā)生在膜相對較弱的部分。突破后，該部分形成新的氧化膜，因此突破點(diǎn)轉(zhuǎn)移到下一個(gè)相對較弱的部分。因此，形成的氧化膜（陶瓷膜）是均勻的。（內(nèi)容僅供參考，有問題或遇到問題請?jiān)诰€或來電咨詢，我們會(huì)竭誠為您服務(wù)）